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英飞凌推出1200V SiC MOSFET 将提高可靠性和降低系统成本

发布时间:2018-12-27    来源:弘威电子    浏览:578

英飞凌(Infineon)推出革命性的1200V SiC MOSFET,使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求,并提高可靠性和降低系统成本。

电源转换方案的开关频率可达到目前所用开关频率的三倍或以上。还能带来诸多益处,如减少磁性元件和系统外壳所用的铜和铝两种材料的用量,便于打造更小、更轻的系统,从而减少运输工作量,并且更便于安装。新解决方案有助于节能的特点由电源转换设计人员来实现。这些应用的性能、效率和系统灵活性也将提升至全面层面。